濺射機(jī)的常見(jiàn)技術(shù)有哪些

　　一、反應(yīng)濺射，采用以純金屬作為濺射靶材，但在工作氣體中通入適量的活性氣體，使其在濺射淀積的同時(shí)生成特定的化合物，這種在淀積的同時(shí)形成化合物的濺射技術(shù)被稱(chēng)為反應(yīng)濺射方法。

　　二、直流濺射，惰性氣體，如氬，送入低壓下的濺射腔體，電壓加在電極上產(chǎn)生等離子體。加負(fù)直流電壓的的是頂電極為需要淀積的源材料，例如鋁或鋁壓板，作為靶材。硅片放置于底電極上，高能粒子撞擊靶材，濺射出靶原子，這些原子以蒸汽形式自由走過(guò)等離子體撞擊到硅片表面，凝聚并形成薄膜。

　　三、偏壓濺射，濺射刻蝕和偏壓濺射淀積濺射刻蝕：在淀積前的一個(gè)短時(shí)間內(nèi)，將襯底和靶的電學(xué)連接相顛倒，可以使得襯底發(fā)生濺射而不是靶材，這樣可以從晶圓片表面去除自然氧化物和殘留的玷污。對(duì)于簡(jiǎn)單的磁控系統(tǒng)，如果襯底和淀積材料是導(dǎo)體，可以調(diào)節(jié)加于襯底上的相對(duì)于等離子體的偏壓。因?yàn)闉R射刻蝕的薄膜，在低偏壓下可以重新淀積于晶圓片上，因而得到臺(tái)階覆蓋的凈改善。

　　四、射頻濺射，直流濺射方法的前提之一是靶材應(yīng)具有較好的導(dǎo)電性。射頻濺射是一種能適用于各種金屬和非金屬材料的一種濺射淀積方法。在兩個(gè)電極之間接上高頻電場(chǎng)時(shí)，因?yàn)楦哳l電場(chǎng)可以經(jīng)由其他阻抗形式耦合進(jìn)入淀積室，不必要求電極一定是導(dǎo)電體。射頻方法可以在靶材上產(chǎn)生自偏壓效應(yīng).即在射頻電場(chǎng)起作用的同時(shí)，靶材會(huì)自動(dòng)地處于一個(gè)負(fù)電位，這將導(dǎo)致氣體離子對(duì)其產(chǎn)生自發(fā)的轟擊和濺射。