二次污染造成的針孔洗凈的玻璃在鍍膜前需經(jīng)過加熱，抽真空和濺射等過程，而使玻璃再次污染，從而使玻璃鍍膜后產(chǎn)生針孔。玻璃加熱過程中再污染是加熱室或濺射室不干凈，而對玻璃再污染，這些污染源主要來源于擴散泵返油、加熱室或濺射室內(nèi)臟、靶玻璃材濺射產(chǎn)生靶灰，殘余氣體壓強高等諸多方面。因為一般的固體物質(zhì)，每單位表面積上的分子數(shù)大約為10個左右，在常Pa的壓強下，每秒鐘撞表面的分子數(shù)大體上相當于覆蓋物質(zhì)全面積的分子數(shù)。在殘余氣體壓強為10的情況下，假如以每秒一層原子左右的形成速度進行鍍膜時，則蒸發(fā)的原子和殘余氣體的分子幾乎是以相同的幾率碰撞基片。在濺射過程中在充入氬氣時壓強為10～10時所形成膜的速度和蒸發(fā)條件下基本相同。

　　由于殘余氣體的存在，不但影響膜的純度及質(zhì)量，還會產(chǎn)生針孔。所以在生產(chǎn)中要選用高純度的氬氣為工作氣體，嚴格控制真空室的漏氣速率，以減小殘余氣體對原片及膜層的污染。將殘余氣體的壓力控制在10Pa以下，要經(jīng)常清理加熱室、玻璃過渡室、濺射室的環(huán)境，減少擴散泵返油對玻璃的污染。同時可適當提高陰極的濺射功率，以增加粒子動能及擴散能力，這將有利于清除被鍍膜玻璃表面的殘留物質(zhì)，減少鍍膜玻璃的針孔。鍍膜玻璃膜的膜層均勻度一般地講，同一基片上膜層厚薄不同，就稱之為膜層不均勻。引起鍍膜玻璃膜層不均勻的原因是多方面的。磁控濺射靶的水平磁場強度(B)對膜層均勻度的影響磁控濺射的關(guān)鍵參數(shù)之一是與電場垂直的水平磁場強度B，因為水平磁場強度B要求在陰極靶的表面是一個均勻的數(shù)值。而實際生產(chǎn)過程中值是隨著使用方法及時間的推移，產(chǎn)生一定的變化，而出現(xiàn)不均勻現(xiàn)象。我們從濺射過的陰極靶材的刻蝕區(qū)的變化情況就可以驗證。