pvd真空電鍍膜是在真空中將鈦、金、石墨、水晶等金屬或非金屬、氣體等材料利用濺射、蒸發(fā)或離子鍍等技術,在基材上形成薄膜的一種表面處理過程。與傳統(tǒng)化學鍍膜方法相比，真空鍍膜有很多優(yōu)點：如對環(huán)境無污 染，是綠色環(huán)保工藝;對操作者無傷害;膜層牢固、致密性好、抗腐蝕性強，膜厚均勻。真空鍍膜技術中經(jīng)常使用的方法主要有：蒸發(fā)鍍膜(包括電弧蒸發(fā)、電子槍蒸發(fā)、電阻絲蒸發(fā)等技術)、濺射鍍膜(包 括直流磁控濺射、中頻磁控濺射、射頻濺射等技術)，這些方法統(tǒng)稱物理氣相沉積(Physical Vapor Deposition)， 簡稱為PVD。

　　與之對應的化學氣相沉積(Chemical Vapor Deposition)簡稱為CVD技術。行業(yè)內(nèi)通常所說的“IP”(ion plating)離子鍍膜，是因為在pvd技術中各種氣體離子和金屬離子參與成膜過程并起到重要作用，為了強調(diào)離子的作 用，而統(tǒng)稱為離子鍍膜。真空鍍膜是一種產(chǎn)生薄膜材料的技術。在真空室內(nèi)材料的原子從加熱源離析出來打到被鍍物體的表面上。此項技術用于生產(chǎn)激光唱片(光盤)上的鋁鍍膜和由掩膜在印刷電路板上鍍金屬膜。在真空中制備膜層，包括鍍制晶態(tài)的金屬、半導體、絕緣體等單質(zhì)或化合物膜。雖然化學汽相沉積也采用減壓、低壓或等離子體等真空手段，但一般真空鍍膜是指用物理的方法沉積薄膜。真空鍍膜有三種形式,即蒸發(fā)鍍膜、濺射鍍膜和離子鍍.蒸發(fā)鍍膜 通過加熱蒸發(fā)某種物質(zhì)使其沉積在固體表面，稱為蒸發(fā)鍍膜。這種方法早由M.法拉第于1857年提出，現(xiàn)代已成為常用鍍膜技術之一。