磁控濺射鍍膜機使用磁控濺射鍍膜靶源，無論是非平衡式還是平衡式的磁控濺射鍍膜靶源，如果是靜止的磁鐵產生的磁場功對材的利用率會小于30%。一般的小型鍍膜設備，多采用磁場靜止靶材。鑒于此，可以通過更改磁場來增大對靶材的利用，旋轉磁場用在大型設備。

　　磁控濺射技術總體來說都是利用電子與磁場的交互，產生大量離子撞擊靶材完成靶材的濺射，其中離不開惰性氣體的參與，在如今的磁控濺射設備中已經淘汰了線圈的磁鐵改為磁鐵。

　　一臺良好的磁控濺射鍍膜設備代價很高，靶源相當于鍍膜設備的心臟但往往容易被購買者忽視，很多朋友注重膜層厚度的測量、配套的真空泵好壞，MFC程序是否好用，別的方面在好如心臟不夠有力對整體的效果的影響是很大的，源的冷卻是保障源不被高溫所損壞的必須配置。

　　磁控濺射可以有中頻、高頻和直流之分，中頻磁控濺射的原理很直流磁控濺射是一樣的，在整個系統磁控濺射鍍膜中，筒體與陰極和陽極的安排有關聯，其不同在于直流磁控濺射的陽極是筒體，而中頻磁控濺射成對出現。就中頻磁控濺射而言，如今使用比較多的是鍍制一些金屬的產品，這種設備一般制作的比較大型，可以放下非常多的產品一起鍍制，提高了效率以及膜層的致密性。

　　利用不同的磁控濺射鍍膜技術可以得到不同的離子密度，改變磁場的設計可以改變離子的量以及分布，對于磁控濺射技術來說磁場是機密的。。