多靶離子束濺射鍍膜機是研究超導、類金剛石、光學、磁性等高質量薄膜和材料表面改性的光機一體化的現代化鍍膜設備。該機采用四靶、雙離子源、離子源為考夫曼源。其原理是利用具有1500ev能量的正離子束或中性粒子轟擊靶材料，使材料表面的原子和分子從母材中濺射出來，沉積在基片上成膜。可鍍制任意材料，包括金屬、合金、超導體、半導體、絕緣體等。該機采用80年代剛剛發展起來的離子束濺射技術，利用雙離子源、主槍，對靶材轟擊，輔槍在鍍前對基片進行清洗，增強基片的活性，提高結合力及純度。沉積過程中低能轟擊膜，增強沉積原子表面擴散和遷移，減少薄膜結晶結的缺陷，并配有對基片處理的各種功能，如加熱、冷卻、旋轉、激光處理、掩膜等。引出柵φ25mm離子能量，1500ev能量束流大于80mA。

　　多靶離子束濺射鍍膜機系統在高精度光學薄膜沉積應用中處于領先地位。多靶離子束濺射鍍膜機是當今僅存的在同一系統可互換使用行星型，簡單旋轉型或可翻轉型基片裝置的系統。

　　在通信應用上，能用于沉積高產值的200，100和50GHz 具有窄通帶, 寬截止頻帶, 高隔離度, 低插損特性的DWDM濾波器，滿足最為嚴格的性能指標。在其它高精度光學應用上，多靶離子束濺射鍍膜機能用于沉積增透膜，復雜的非四分之一波長膜層，以及吸收和散射低于百萬分位的超低損耗激光鏡。